- Связаться с нами
-
Валюта:
USD
GaN транзисторы (HEMT)（165）
Производитель
Упаковка / Корпус
Технология
Ciss - Входная ёмкость
Рабочая температура
Coss - Выходная ёмкость
Постоянный ток стока
Qg - Полный заряд затвора
Полярность транзистора
Pd - Рассеивание мощности
Напряжение пробоя исток-сток
Crss - Обратная ёмкость передачи
Пороговое напряжение затвор-исток
Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
Отфильтровать результаты: 165
Скрыть недоступные
 | |
| | |
| | |
 | |
| | |
| | |
| | |
| | |
| | |
| |